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第三届全国有机场效应晶体管会议(OFET-3)第一轮通知

经组委会商议确定,第三届全国有机场效应晶体管会议拟于20210729日至20210801日在兰州大学召开。届时将邀请众多国内外相关领域的知名学者,包括两院院士、长江学者、国家杰出青年基金获得者等,围绕有机场效应晶体管(OFET)、有机光伏(OPV)、有机发光二极管(OLED)等为代表的有机光电器件及其相关材料、理论、技术及工程研究领域的前沿科学问题和科研成果开展多角度、战略性和前瞻性交流,共同探讨OFET等有机光电器件领域的重大科学共性问题与产业化发展路径,推动OFET等有机光电器件的深入发展。

组委会诚挚地邀请您莅临本届会议,分享您的最新研究成果,共同探讨OFET领域的重大科学共性问题。为便于您投稿与参会,现将本次会议的有关事项通知如下:

一、征文范围:

  • 有机半导体材料的分子设计、合成与表征

  • 有机半导体薄膜的生长、共混、形貌控制和制备工艺

  • 有机半导体材料与器件结构设计、制备加工及计算模拟

  • 有机场效应晶体管的制备、表征与机制研究

  • 有机光伏、发光、传感、存储器件及有机/无机杂化钙钛矿器件等交叉领域

  • 柔性与可拉伸有机光电材料与器件

二、学术委员会:

名誉主席:朱道本 

会议主席:刘云圻、黄维、胡文平、张浩力

学术委员:(按拼音排序)

薄志山,陈红征,陈润锋,陈永胜、迟力峰、狄重安、董焕丽、段炼、付红兵、葛子义、耿延候、郭小军、郭雪峰、郭云龙、韩艳春、侯剑辉、黄飞、黄辉、江浪、李寒莹、李立强、李振、刘俊、刘子桐、马於光、孟鸿、缪谦、裴坚、彭俊彪、彭强、邵向锋、帅志刚、王朝晖、王建浦、王利祥、王悦、魏志祥、许建斌、严锋、颜河、于贵、占肖卫、张德清、张其春、张晓宏、郑子健、朱嘉、朱为宏

三.参会事项:

1. 会议报到时间:2021072908:00 - 22:00

2. 会议报到地点:

1)甘肃省兰州市城关区东岗西路486号,兰州饭店主楼大厅

2)甘肃省兰州市城关区天水南路222号,兰州大学西校区大学生活动中心

3. 会议摘要截止:20210615 

4. 作为会议参会学者,请提前注册并缴纳注册费,会议期间住宿费自理。会议注册费标准:

20210615日前

20210615日后 

普通参会人员 2000

2200 

学生参会人员1300

1500 

企业参会人员2500

3000 

请参会人员于20210501日后登录网站注册,投稿及缴费。 

大会网址:ofet.lzu.edu.cn20210501日开通) 

四、会议组织委员会  

    席: 张浩力     haoli.zhang@lzu.edu.cn

秘书组: 邵向锋     shaoxf@lzu.edu.cn

                 刘子桐     liuzt@lzu.edu.cn

                 孙春霖     suncl@lzu.edu.cn

                 张雅敏     zym@lzu.edu.cn

                 曹晶晶     caojj@lzu.edu.cn

  

            20210428   

 

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